不銹鋼電鍍鉻的溶液維護及操作明細如下：

1. 鉻酐濃度

  其濃度在230~270g/L,維持較高的濃度，以保持較高的導電率，可通過較高的電流密度，以維持鍍液的穩定，有較高的抗雜質能力。

2. 硫酸濃度

  硫酸濃度應保持與鉻酐的濃度比值為100:1.當硫酸濃度的比值小于1時，會引起鍍層在鍍不上鉻層處輕者呈現黃彩膜，即俗稱“漏黃”，重者呈藍膜，無鉻層與未鍍鉻的交界處模糊。有鉻層表面鍍鉻較厚處有微小圓形顆粒，鍍層光亮度較差，比值進一步減少時，如0.5以下，分散能力惡化，鍍不上鉻的面積擴大，電流大些，面積甚至呈烏黑色燒焦狀鉻層。

  而硫酸的比值大于1至1.2以上時，鍍層分散力也會惡化，但不出現“露黃”現象，此時，有鉻層鍍上處與未鍍上處的交界線很明顯。比值超過越大，則未鍍上區域相應擴大，最終甚至完全鍍不上鉻，此時比值在大于2以上。為了降低硫酸濃度，要向鍍層中加入碳酸鋇，使形成硫酸鋇沉淀，此時需要計算碳酸鋇的用量，理論上碳酸鋇2g可沉降硫酸1g.處理后還要攪拌一定時間，保溫2h,使硫酸鋇由分散細粒聚集成較大顆粒沉降，使副反應鉻酸鋇轉變成硫酸鋇粒子沉淀。利用虹吸法將沉降至槽底的硫酸鋇吸出槽外，再經澄清后將吸出的鉻液回流至鍍鉻槽內。在生產過程中，硫酸不要無根據地任意添加入鉻槽中。因為在整個鍍鉻過程中只消耗鉻酸，而硫酸僅作為鍍鉻的催化劑，一般不會消耗掉。僅隨著鉻酐在出槽時而附帶出來少量硫酸，而當補充鉻槽中的鉻酐時，在鉻酐中一般可能要有百分之零點幾的硫酸作為雜質隨之進人鉻槽，可彌補硫酸的不足，數量上達到自動的平衡。一般補充至正常范圍的鉻酐可以不必刻意地補加硫酸。鉻酸根離子（CrO^2-₄)是負離子，它不可能在負極上放電析出鉻金屬層。當在SO^2-₄ 與三價鉻（Cr³⁺)生成［Cr₄O（SO₄)₄ · (H₂O)₄]²⁺,陽離子團到陰極表面，當離子放電后，硫酸根離子（SO^2-₄ ）又回到陰極。

3. 三價鉻Cr³⁺的作用和影響

  在新配的鉻酸溶液中，在開始時沒有Cr³⁺,不能生成前述的陽離子團，在鍍鉻溶液中當存在適量的硫酸時，使鍍鉻液的酸度為pH=3時，有堿式鉻酸鉻［Cr(OH)₃·Cr(OH)CrO₄]薄膜包在陰極表面上。當有三價鉻化合物所組成的帶正電荷的陽離子團，才能在陰極上放電，析出金屬鉻層。如果溶液中沒有三價鉻，形不成陽離子團來促使堿式鉻酸鉻的薄膜溶解，就鍍不上鉻。故三價鉻的數量雖少，但作用很大。故在配好鍍鉻槽后，需要用電解的方法，在陰極上產生少量的三價鉻，一般使Cr³⁺=3~5g/L,已足夠起作用。過多反而有害。在鍍鉻過程中，Cr³⁺和H₂SO₄重回溶液中。

4. 電流密度

  在不銹鋼拋光表面上，總是存在一層肉眼看不見的極薄的鉻的氧化膜，在其上沉積的鉻層會產生結合力不牢的現象。故在開始鍍鉻時，應先用小電流陰極活化，此時只產生氫氣氣泡，不在鉻的析出電位之上，使不銹鋼表面得到還原凈化，存在的鉻氧化膜被電解除去，電流密度應小于3A/d㎡,時間為1~2min.在此過程中，鍍件在鍍液中也受到預熱，然后每1~2min內提升電流密度至5A/d㎡,在5~10min內，階梯式提升電流5次，最后以高于正常電流，大約在50~60A/d㎡2之內沖擊鍍鉻，時間為2~3min,使凹入部位都能鍍上鉻層，然后恢復至正常電流密度25~30A/d㎡,也可采取較大電流密度，但為防止邊角燒焦，要采取輔助陰極加以保護。

5. 溫度

  溫度和電流密度之間有密切的關系，溫度在60℃時，陰極電流密度為60A/d㎡,鉻層硬度最好，約為維氏990HV.因此，在50~60℃之間，硬度變化不大。但溫度大于65℃時，硬度開始下降至900HV.當溫度高達70~75℃時，鉻層失去光澤，呈乳白色，硬度也降低至600~700HV.所以溫度宜保持在55~60℃.鉻鍍層由于硬度高，摩擦因數小，有良好的耐磨性，適應于模具板的要求。當電流密度為30~40A/d㎡2時，其維氏硬度也在1000HV左右。